pwopriyete pwodwi yo
TIP
DEKRI
kategori
Pwodwi Semiconductor Disrè
Tranzistò - FET, MOSFET - Single
manifakti
Infineon teknoloji
seri
CoolGaN™
Pake
Tap ak bobin (TR)
Chea Band (CT)
Digi-Reel® Custom Reel
Estati pwodwi
sispann
Kalite FET
N kanal
teknoloji
GaNFET (Nitrure Galyòm)
Drenaj-Sous vòltaj (Vdss)
600V
Aktyèl nan 25 ° C - Drenaj kontinyèl (Id)
31A (Tc)
Kondwi vòltaj (Max Rds sou, Min Rds sou)
-
On-rezistans (max) nan diferan Id, Vgs
-
Vgs(th) (maksimòm) nan diferan idantite
1,6V @ 2,6mA
Vgs (max)
-10V
Antre kapasite (Ciss) nan diferan Vds (max)
380pF @ 400V
Fonksyon FET
-
Dissipation pouvwa (max)
125W (Tc)
opere tanperati
-55°C ~ 150°C (TJ)
kalite enstalasyon
Kalite mòn sifas
Anbalaj Aparèy Founisè
PG-DSO-20-87
Pakè/Anvlòp
20-PowerSOIC (0.433″, 11.00mm lajè)
Nimewo pwodwi debaz
IGOT60
Medya ak telechajman
TIP RESOUS
LYEN
Espesifikasyon
IGOT60R070D1
Gid Seleksyon GaN
CoolGaN™ 600 V e-mòd GaN HEMTs Bref
Lòt dokiman ki gen rapò
GaN nan Adaptè/Charjeur
GaN nan sèvè ak Telecom
Reyabilite ak Kalifikasyon nan CoolGaN
Poukisa CoolGaN
GaN nan chaje san fil
dosye videyo
CoolGaN™ 600V e-mòd HEMT platfòm evalyasyon mwatye pon ak GaN EiceDRIVER™
CoolGaN™ - nouvo paradigm pouvwa a
2500 W plen-pon totèm poto PFC evalyasyon tablo lè l sèvi avèk CoolGaN™ 600 V
Espesifikasyon HTML
CoolGaN™ 600 V e-mòd GaN HEMTs Bref
IGOT60R070D1
Anviwònman ak Klasifikasyon ekspòtasyon
ATRIBI
DEKRI
estati RoHS
Konfòme ak spesifikasyon ROHS3
Nivo sansiblite imidite (MSL)
3 (168 èdtan)
estati REACH
Pwodwi ki pa REACH
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
